研究人员：王学伦，氮化镓先进器件开放创新实验室氮化镓光器件团队组长、朱军，前电子与光子研究所客座研究员、远藤一彦，纳米电子研究所所长、SAMUKAWA Seiji，东北大学纳米电子研究所联合特聘研究员
- 使用中性束蚀刻制造的加工损伤极低的 GaN micro LED
- 即使 LED 尺寸减小至 6 µm，仍能保持低电流密度下的发射效率
- 预期应用于高效、高分辨率的Micro LED显示器
本研究中使用 (a) 传统电感耦合等离子体蚀刻技术和 (b) 中性束蚀刻技术制造的 Micro LED 的外部量子效率的电流密度依赖性
使用尺寸约为10微米的Micro LED以高密度排列的Micro LED显示器最近引起了广泛关注。
然而，随着LED尺寸的减小，传统Micro LED的发光效率迅速下降，特别是在低电流密度区域（< 20 A/cm2)，这对于显示操作很重要。这给实现高效率、高亮度、高分辨率的Micro LED显示器带来了挑战。
研究人员与东北大学合作开发了提高 GaN（氮化镓）微型 LED 效率的技术。
Micro LED高密度排列的Micro LED显示器有望成为下一代可穿戴信息终端的高效率、高亮度、高分辨率显示器。然而，传统的制造方法会对LED侧面造成较大的加工损伤，因此存在当LED尺寸减小时发光效率显着下降的主要问题。研究人员使用加工损伤极低的中性束蚀刻技术制造了 GaN micro LED，并实现了即使 LED 尺寸缩小到 6 μm 发光效率也几乎没有下降的 GaN micro LED。