研究人员开发了一种具有独特结构的高可靠性晶体管，其中内置二极管不会出现电流衰减，并使用量产质量原型验证了其性能。

内置SBD的普通晶体管结构（左）和开发的晶体管结构

当电压施加到结构上集成到晶体管中的内置 PiN 二极管时，电流逐渐减小。为了解决这个问题，我们开发了一种用于 3300V 级晶体管的内置 SBD 的晶体管结构。然而，该方法不能应用于1200V级晶体管。需要具有内置 SBD 的晶体管来实现此类耐压。

开发的晶体管具有沟槽型栅极和构建在沟槽侧壁上的SBD。单元间距（即栅极间距）减少至 5 µm，不到传统间距的三分之一。因此，降低了施加到 PiN 二极管的电压，并开发了一种不会遭受电流退化的高可靠性晶体管。

With commercialization of this technology in mind, the researcher will enhance collaboration with companies and develop a multilayered device structure and an advanced production process他还将开发外围技术，例如封装技术。