与东北大学、国立材料科学研究所、大阪大学和日本同步辐射研究所合作，研究人员开发了一种用于压控磁存储器的新型极薄铁铱 (FeIr) 磁性材料，可通过电压实现高效自旋控制，效率约为传统自旋控制的三倍。

所开发的掺铱超薄铁薄膜（红星）的特性及器件结构示意图

磁性随机存取存储器 (MRAM) 有望成为一种很有前途的工作存储器，它利用磁性的非易失性，具有低待机功耗。然而，由于使用电流来写入信息，因此由于电流产生的热量，用于写入过程的能量较高。另一方面，可以使用电压扭矩 MRAM 中的电压脉冲写入信息。预计将开发出理想的低驱动功率的小型非易失性存储器。为了将电压-扭矩MRAM投入实际应用，面临的挑战是提高电压自旋控制的效率。

在之前的工作中，使用了传统的铁钴 (FeCo) 基合金。研究人员发现，通过使用掺铱超薄铁薄膜，电压自旋控制的效率可以提高约三倍。除了电压控制的效率外，垂直磁各向异性（对于显示电压扭矩MRAM的可扩展性很重要）也同时得到改善。他首次实现了实用电压扭矩MRAM（例如最后一级缓存）的目标性能。

研究人员将为所开发的材料开发批量生产技术。他还将开发新材料和结构，以进一步增强垂直磁各向异性和电压自旋控制的效率。