研究人员开发了一种技术，可以显着降低压控磁存储器（电压扭矩MRAM）的写入错误率。

图。 1 使用脉冲电压磁化反转的示意图

图。 2 写入错误率与脉冲电压强度的关系

当向具有超薄金属铁磁层（存储层）的磁隧道结元件施加极短时间（纳秒量级）的脉冲电压时，可以诱发磁化反转（见图1）。研究人员优化了存储层的磁特性，以提高压控磁各向异性（VCMA）变化的效率和热稳定性。结果，电压扭矩MRAM的写入错误率降低了两位数或更多（2 x 10^-5) 与过去报告的值 (10^-2至 10^-3)（见图2）。所开发的技术使我们能够实现低于 10 的实际写入错误率^-9，通过引入一种纠错过程。

在传统的MRAM中，电流用于信息写入，但欧姆耗散引起的不必要的功耗是降低驱动功率的障碍。另一方面，有望成为下一代MRAM的电压扭矩MRAM原则上不需要电流，因此预计功耗会显着降低。然而，降低写入错误率仍然是一个挑战。

所开发的技术将加速高可靠、高速、超低功耗的电压扭矩MRAM的研发。具有高VCMA效率的新材料的研究对于进一步降低写入错误率至关重要，并将得到发展。此外，还将致力于抑制大晶圆上磁性和 VCMA 特性的变化以及电压扭矩 MRAM 电路技术的开发。