AIST 开发了一种技术，只需用光照射纳米碳材料的分散体即可轻松制造高纯度薄膜。可以在各种材料的曲面和凹凸表面的基板上进行图案化。

开发技术概要（右）以及与传统技术的比较（左）

研究人员开发了一种特殊的分散剂，可以选择性地吸附到纳米碳材料上，并在暴露于紫外线时解吸。当用LED光短时间（约20秒）照射时，单壁碳纳米管（SWCNT）仅沉积在受光部分，并形成仅几十纳米厚的高纯度薄膜。在传统的湿法工艺中，很难在弯曲表面或不平坦的表面上形成薄膜。随着技术的发展，已经可以在各种形状和材料（包括无机和有机材料）的基板上制备单壁碳纳米管薄膜。

由于现有的分散剂对纳米碳材料的吸附性很强，并且容易残留在材料的薄膜中，因此传统方法需要几个复杂的步骤，包括通过强酸洗涤或热处理去除分散剂。此外，残留的分散剂也是降低电导率的因素。因此，需要一种更简单的技术来制造高纯度纳米碳薄膜，从而减少对环境的影响。

随着技术的发展，分散剂不会残留，薄膜形成和图案化的过程大大缩短，这将促进下一代电子器件的发展，例如利用纳米碳材料特性的柔性轻质二次电池和电容器。