使用新型晶体管（硅隧道 FET）的环形振荡器电路已经制造出来，原则上可以在低电压下运行，并且首次测量了运行速度。

新制造的隧道 FET 环形振荡器的光学显微照片、示意图和输出特性

迄今为止，使用隧道 FET 来制造 FET 操作速度测量所需的环形振荡器电路尚未实现。使用AIST先进的硅器件工艺技术，集成了数十个特性变化很小的晶体管来制造环形振荡器电路，并在世界上首次实现了运行速度测量。此外，还开发了一种增加隧道 FET 驱动电流的技术，可将运行速度提高两倍。

近年来，物联网相关研究正在积极开展，需要能够以微弱电力运行的LSI。迄今为止，场效应晶体管已用于LSI。然而，目前驱动电压的降低即将达到极限，因此，作为取代场效应晶体管的下一代晶体管，隧道FET成为焦点，并且有望在02至03V的极低电压下驱动。虽然已经确认隧道FET作为晶体管工作，但由于尚未测量工作速度，因此尚未确认隧道FET是否实际上是高性能的。

所制造的隧道FET的工作电压高于预期值，因此研究人员的目标是更低的电压工作。另外，在实际使用中，需要比目前快大约100倍的运行速度，因此将改进增加驱动电流的技术以实现速度的提高。