研究人员开发了一种技术来研究电阻式随机存取存储器 (ReRAM) 中的氧空位状态，而不会损坏存储功能。他们揭示了传统和超低功耗操作模式下氧空位在低电阻状态（LRS）和高电阻状态（HRS）下的行为。

EBAC（电子束吸收电流）图像的分析结果和ReRAM的噪声测量数据

相同的设备可用于研究传统和低功率操作模式，从而可以比较不同条件下的氧空位状态。仅在低功率操作期间的HRS中，电流噪声的频率依赖性表明存在少量氧空位。即使对于低功率运行的LRS，仍然存在足够数量的氧空位。因此，研究人员得出结论，需要减少有助于导电的氧空位，以进一步降低ReRAM的功耗。

ReRAM 是一种很有前途的存储器件，具有快速切换和低功耗的特点。众所周知，氧化物层中的氧空位与基于过渡金属氧化物的 ReRAM 的运行有关。广泛使用的氧空位分析方法是电子显微镜。然而，由于需要处理样品以供电子显微镜观察，因此很难在不损害记忆功能的情况下研究少量氧空位。为了实现 ReRAM 的超低功耗，并提高其可靠性并优化制造工艺，需要一种能够研究不同操作期间氧空位影响的技术。

在AIST的ReRAM应用研究中，需要精确控制氧空位的排列和扩散。 AIST 将应用为实现这一目标而开发的技术。