东京大学固体物理研究所的助理教授 Yoshiya Sakamoto 和副教授 Shinji Miwa 正在与该大学的研究生院、该大学的先进科学技术研究中心、国立先进工业技术研究所的新原理计算研究中心和高亮度光科学研究中心合作开发新材料。手性反铁磁体(注1)中的常规材料铁磁材料(注2)可以在更高的频率下稳定运行自旋扭矩二极管效应(注3)被发现。
具有称为手性反铁磁体的特殊磁性结构锰化合物(Mn3锡)(注4)薄至10纳米以下,施加微波电流(高频电流),出现直流电压(图1)。交流电产生直流电压的效应被广泛称为二极管效应,由半导体制成的整流二极管在社会上得到广泛应用。在自旋扭矩二极管效应中,与电子旋转相对应的自旋振荡产生整流效应,类似于半导体中的整流二极管。有报道称,使用铁磁材料的自旋扭矩二极管超过了半导体二极管的微波电流检测灵敏度,但随着频率的增加,信号(电压)的强度与此成反比地迅速下降。在这项研究中,交流互动的属性(注5)是一种表现出高能量的反铁磁材料,我们实现了二极管效应,即使频率增加,信号强度的稳定性也比铁磁材料高10至100倍。这种新型自旋扭矩二极管的实现有望促进下一代自旋电子学和高速通信的发展。
这一成果发表在英国科学杂志《自然纳米技术'' 将于 2024 年 12 月 3 日在线发布。

图1:研究内容示意图(左)与得到的整流电压信号(右)
左图:Mn3当直流电和微波电流施加到Sn合金和W(钨)的双层膜时,根据微波施加的不同,会出现横向直流电压。右图:实际数据。当施加微波时,会出现电压信号,其特征峰结构与微波功率成比例。
〈研究背景〉
以半导体为中心的电子学是巧妙地利用电子的电学特性而发展起来的。近年来,自旋电子学的研究正在积极进行,它利用磁体的“自旋”特性(对应于电子的旋转),有望成为低功耗和高速运行等下一代信息技术的基础。到目前为止,自旋电子学已经利用铁磁材料,这些材料对电和光表现出与其磁化强度成比例的大响应。铁磁材料在微波频段具有独特的谐振频率,可以与微波有效地相互作用。例如,如果绝缘体夹在两种铁磁材料之间磁隧道结(注6)“自旋扭矩二极管效应”是众所周知的,当微波电流施加到器件时会产生直流电压。然而,当使用铁磁材料时,存在一个问题,即二极管信号的强度随着频率的增加而显着降低,与其成反比。
<研究内容>
研究团队采用反铁磁体来解决高频下的二极管信号衰减问题。反铁磁材料表现出称为交换相互作用的高能量,因此它们比铁磁材料具有更大的谐振频率,并且即使在高频段,二极管也有望稳定运行。另一方面,普通反铁磁体不具有磁化强度,因此它们无法提供铁磁体所具有的大响应。
因此,在本研究中,我们重点关注锰 (Mn)-锡 (Sn) 合金 Mn,它是一种手性反铁磁材料3我用了锡。由于其独特的结构,该材料尽管具有反铁磁性,但仍表现出类似铁磁性的响应,近年来在各个领域引起了人们的关注。研究团队首先从Mn入手3在钨(W)薄膜之上制作锡合金薄膜,其厚度减至极薄的7纳米。当电流通过该两层膜时,电流在W层中转换成自旋流,即自旋流,并且Mn3注入Sn、Mn3Sn 的自旋运动被诱导。将制作的薄膜加工成器件,进行一边施加磁场一边同时施加5GHz微波电流和直流电流的实验。他们发现,在施加微波电流时,会出现具有特征峰值结构的直流电压,该电压与其功率成正比(图 1,右)。该结果表明自旋扭矩二极管效应也在使用反铁磁体的器件中表现出来。我们还进行了实验,同时将施加的微波频率改变至 30 GHz,结果发现该峰值的大小在高达 30 GHz 的范围内几乎没有变化(图 2)。这种行为与铁磁材料中的一般二极管信号本质上不同,后者随频率成反比减小。
为了了解这种行为,研究团队还进行了详细的数值模拟,其中考虑了反铁磁体特有的交换相互作用。模拟完美地再现了实验结果,表明当直流电驱动的自旋运动受到磁场抑制时,它可以有效地与微波相互作用并产生整流效应。这表明,实验中观察到的频率下的稳定行为确实是由于反铁磁体中表现出的强交换相互作用。

图2:反铁磁体和铁磁体之间的整流效果差异
传统的铁磁材料(黑色虚线)的电压与频率成反比而迅速下降,而本研究中生产的反铁磁材料(红色圆圈)则表现出几乎恒定的电压,高达 30 GHz 以上,表明它是稳定的。该实验值也与模拟结果(橙色线)非常吻合。根据 5 GHz 的模拟信号强度,整流电压信号的强度为 1。
<未来展望>
这一结果首次证明了反铁磁材料中的“自旋扭矩二极管效应”,该效应可将高频电流转换为直流电压。通过使用反铁磁体,可以在比以往更宽的频率范围内工作。这项研究的基本技术将有助于 JST 未来社会创建项目目前正在开发的自旋电子学光电融合器件中写入和磁移位寄存器的高速运行。因此,自旋扭矩二极管有望在直至太赫兹波的高频范围内得到应用,并有望为下一代自旋电子学和下一代通信技术Beyond 5G的发展做出贡献。
东京大学
凝聚态研究所
坂本吉也,助理教授
小崎秀俊研究生(前沿科学研究生院材料科学系)
志贺正幸特聘研究员(研究时)
现任:九州大学工学研究科能源与量子工程系助理教授
滨根大辅技术专家
三轮真司副教授
兼任:东京大学跨尺度量子科学国际合作研究组织副教授
先进科学技术研究中心
Takuya Nomoto 讲师(研究时)
现任:东京都立大学理学院物理系副教授
有田辽太郎教授
兼任:东京大学研究生院理学研究科物理系教授
兼任:RIKEN 突发物质科学中心团队负责人
理学研究生院物理系
肥后智也,特聘副教授
中辻智教授
兼任:东京大学固体物理研究所项目副教授
兼任:东京大学跨尺度量子科学国际合作研究组织主任
国立产业技术综合研究所
新原理计算研究中心
研究员 Yuki Hibino
山本龙也,首席研究员
Shingo Tamaru 首席研究员
野崎隆之研究小组组长
药师寺圭首席研究员
高亮度光科学研究中心
Yoshinobu Kotani 首席研究员
中村哲也首席研究员
兼任:东北大学国际同步辐射创新智能教授
杂志名称:自然纳米技术
标题:Kagome Weyl 半金属中的反铁磁自旋扭矩二极管效应
作者姓名:坂本翔也*、野本卓也、肥后智也、日比野由纪、山本达也、田丸慎吾、小谷义德、小崎秀俊、志贺正信、西尾滨根大辅、中村哲也、野崎隆之、药师寺凯、有田良太郎、悟中辻和三轮慎司*(*通讯作者)
本研究得到日本学术振兴会科学研究补助金(项目编号:JP19H05825、JP21H04437、JP22H00290)、22H04964、23H01833、24H02234)、日本科学技术振兴机构 (JST) 未来协会的支持创造项目(问题编号:JPMJMI20A1)、策略这项工作是在CREST(项目编号:JPMJCR18T3)、CREST(项目编号:JPMJPR20L7)、文部科学省下一代X-nics半导体创造中心项目(JPJ011438)以及自旋电子学学术研究基金会和协作网络中心的支持下进行的。