奖项

在 2021 年国家发明奖上，米乐m6官方网站[理事长：石村和彦]（以下简称“AIST”）荣获未来创造发明奖和国家研究开发机构日本科学技术振兴机构颁发的未来创造发明贡献奖。

国家发明奖的目的是通过接受皇室每年的拨款，表彰在日本完成发明、想法或设计（以下简称“发明等”）的人，以及在发明的实施和推广中取得成就的人，为科学技术的进步和产业的发展做出贡献。未来创造发明奖针对中小企业、风险投资公司、大学以及公共测试和研究机构等研究机构做出的具有突出科技创造性的发明，颁发给那些被公认为极其优秀并在创造未来社会中取得实施效果或预计在未来产生显着实施效果的发明创造者。此外，如果获得未来创造发明奖的发明是由该法人完成的，则将向该法人代表颁发未来创造发明贡献奖。

颁奖典礼将于 6 月 22 日（星期二）在东京大仓举行。
 

“发明定向多晶MgO隧道磁阻元件，为磁记录的发展做出贡献”（专利号5120680）
（共同权利人：日本科学技术振兴机构）

未来创造发明奖

• Shinji Yuasa（产业技术研究院电子与制造领域新原理计算研究中心研究中心主任）

未来创造发明贡献奖

• 石村和彦（AIST 董事长兼首席运营官）
• 滨口道成（日本科学技术振兴机构主席）

发明概述

本发明以可批量生产的形式实现了具有巨大磁阻效应的隧道磁阻元件（MTJ元件），从而为磁记录的发展做出了贡献。

传统的MTJ元件采用非晶氧化铝作为隧道势垒（超薄绝缘层），但由于其磁阻效应较小，其工业应用受到限制。

在本发明中，通过使用定向多晶氧化镁（MgO）作为隧道势垒，使用含有钴（Co）、铁（Fe）和硼（B）的磁性合金作为铁磁电极，我们实现了约10倍于传统方法的巨大磁阻效应和优异的量产性。

本发明的MTJ元件目前用于所有硬盘驱动器(HDD)的磁头，并且通过实现大容量HDD为信息社会的进步做出贡献。本发明的技术也已作为STT-MRAM投入实际使用，STT-MRAM是一种即使在电源关闭时也能保留存储信息的非易失性存储器，并且有望在智能手机和个人计算机中实现更低的功耗和更高的性能。

令和第三届国家发明奖颁奖典礼 （照片发布日期：2021 年 6 月 22 日）