2016/05/26
AIST在2016年国家发明奖中荣获21世纪发明鼓励奖和21世纪发明贡献奖
在2016年国家发明奖颁奖典礼上，米乐m6官方网站［会长：中钵良二］（以下简称“AIST”）荣获第21届发明鼓励奖和21世纪发明贡献奖。
国家发明奖的目的是通过接受皇室每年的拨款，表彰在日本完成发明、想法或设计的人，以及在实施和推广发明方面取得成就的人，为科学技术的进步和工业的发展做出贡献。如果获得“21世纪发明鼓励奖”的发明等是由该法人完成的，则将向该法人代表颁发“21世纪发明贡献奖”。
颁奖典礼于6月15日在东京大仓酒店举行。
21世纪发明鼓励奖
“超高效单壁碳纳米管合成方法的发明”
- Kenji Hatake（日本产业技术研究院材料与化学领域纳米管实用研究中心研究中心主任）
- 饭岛澄雄（名城大学研究生院理工学系终身教授/日本产业技术研究院荣誉院士）
- Morio Yumura（日本产业技术研究院材料与化学领域纳米管实用研究中心首席研究员）
- Futaba Don Norimi（产业技术研究院材料化学领域纳米管实用研究中心CNT合成组研究组组长）
21世纪发明贡献奖
发明概要
本发明涉及单壁碳纳米管（单壁CNT）的超高效合成技术，称为超生长合成法，是一项能够向工业界提供单壁碳纳米管作为工业材料的发明，单壁碳纳米管有望成为纳米技术的核心材料。
我们发现，在采用适合大规模生产的化学气相合成法合成单壁碳纳米管时，添加极少量的水即可提高催化剂的活性并显着延长其寿命。该方法与各种常规合成方法相比，长度提高了500倍，生长效率提高了1000倍以上。此外，我们还成功实现了纯度超过9998%，并将杂质浓度降低到传统方法的1/2000以下。
超生长单壁碳纳米管的优异性能极其多样，往往远远超过已知材料，因此应用范围广泛，包括能源、环境和IT，从材料角度有助于增强日本的工业竞争力。
21世纪发明鼓励奖获奖者及相关方 |
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左起：汤村首席研究员、中钵董事长、旗木研究中心主任 |
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