2018/05/17
AIST在2018年国家发明奖中荣获21世纪发明鼓励奖和21世纪发明贡献奖
在2018年国家发明奖上，米乐m6官方网站（所长：中钵良二）（以下简称“AIST”）与电装株式会社一起荣获第21届发明鼓励奖和21世纪发明贡献奖。
国家发明奖的目的是通过接受皇室每年的拨款，表彰在日本完成发明、想法或设计（以下简称“发明等”）的人，以及在发明的实施和推广中取得成就的人，为科学技术的进步和工业的发展做出贡献。第21届发明鼓励奖以与中小企业、风险投资公司、大学以及公共试验研究机构等研究机构相关的发明为对象，颁发给在创建21世纪社会中完成的被认为特别优秀、已取得实施效果或预计在未来具有显着实施效果的发明者。此外，如果获得“21世纪发明鼓励奖”的发明是由该企业完成的，则将向该企业代表颁发“21世纪发明贡献奖”。
颁奖典礼于6月12日（星期二）在东京大仓酒店举行。
“高压电钪氮化铝薄膜的发明”（专利号5190841）
（共同权利人：DENSO Corporation）
21世纪发明鼓励奖
- 秋山盛人（产业技术研究院电子与制造领域制造技术研究部副研究主任）
- 神原俊博（Hourin Co, Ltd/前 AIST 生产测量研究中心特别研究员）
- Naohiro Ueno（佐贺大学理工学院机械系统工学系教授/前日本产业技术研究院生产测量研究中心首席研究员）
- Kazuhiko Kano（DENSO 株式会社先端技术研究所材料研究部材料研究室 1 副主任）
- Akihiko Teshigahara（电装株式会社先进技术研究所设备研究部设备研究室 2 经理）
- Yukihiro Takeuchi（电装株式会社 IT 实验室技术规划组总经理）
- Nobuaki Kawahara（DENSO Corporation 先进技术研究所所长）
21世纪发明贡献奖
- 中钵良二（AIST 主席）
- Koji Arima（DENSO 公司总裁）
发明概述
由于高速通信带来更高的频率，智能手机的传统高频滤波器正在接近其性能极限。因此，正在开发使用薄膜体声波（FBAR）谐振器的FBAR滤波器。 FBAR 滤波器使用氮化铝 (AlN) 压电薄膜。 AlN薄膜具有优异的弹性波传播速度和温度系数性能，使其成为滤波器理想的压电材料。然而，与其他压电材料相比，AlN薄膜的压电性较低，需要较高的工作电压，这使得其难以节省电力并增加了滤波器的插入损耗。
在本发明中，对在AlN薄膜中添加钪(Sc)的ScAlN薄膜进行了研究，结果成功地将AlN薄膜的压电性提高了四倍以上。迄今为止，关于改善氮化物薄膜压电性能的研究还很少。 ScAlN薄膜可以在不损失AlN薄膜的弹性波传播速度和温度系数性能特征的情况下提高压电性。因此，人们高度期待使用 ScAlN 薄膜的 FBAR 滤波器能够节省功耗并降低插入损耗。它还有望在社会中应用于需要高性能的电子设备中，例如用于智能手机和麦克风的下一代高频滤波器。
向社会传播成果
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