奖项

　2008年1月29日星期二，2007年朝日奖颁奖典礼在东京日比谷帝国饭店举行，日本产业技术研究院电子研究部自旋电子学研究组组长汤浅真司和东北大学教授宫崎照信因“隧道磁阻效应（TMR）的开发和应用研究”共同获奖。

获奖原因

汤浅真司先生进一步发展了宫崎辉信先生在室温下首次实现的隧道磁阻效应（TMR）（利用电子的隧道效应，磁性使材料的电阻发生显着变化的现象），并通过使用氧化镁作为绝缘体，实现了具有更大磁阻比的TMR。这些成果已经投入实际应用，为近年来硬盘容量的大幅增长提供了技术支撑，也有望应用于开发即使断电也能保持记忆的新型存储器（MRAM）。

*朝日奖由朝日新闻公司于1929年设立，旨在奖励在学术和艺术等领域取得杰出成就，并为日本文化和社会的发展和进步做出重大贡献的个人或团体。

相关研究信息链接：

成功直接测量自旋注入扭矩
　- 建立新的评估技术以加速下一代 MRAM 的开发 -（2007 年 11 月 26 日宣布）

超高密度硬盘高性能TMR元件开发
　-能够支持每英寸500GB以上高密度记录的磁头技术-（2006年5月9日公布）

利用自旋注入磁共振开发出自旋扭矩二极管
　- 预计用作高灵敏度微波探测器 - (2005年11月17日公布)

展示巨大TMR（隧道磁阻）效应的产生机制
　- 实现了世界最高输出电压550mV - （2004年11月1日公布）

开发出世界最高性能TMR（隧道磁阻）元件的量产技术
　- 使用溅射薄膜沉积方法实现千兆位 MRAM 所需的 230% 磁阻比 -（2004 年 9 月 7 日公布）

利用单晶TMR（隧道磁阻）元件实现世界最高性能
　- 实现超高密度 MRAM 的途径 -（2004 年 3 月 2 日公布）