电子研究部自旋电子学研究组研究组组长汤浅真司于 2009 年 7 月 15 日获得井上春重奖委员会（独立行政机构日本科学技术振兴机构）颁发的第 34 届井上春重奖。
井上春成奖每年颁发给两家公司，奖励来自大学、研究机构等的原创研究成果并已商业化（有销售业绩的公司）。此次获奖技术是“氧化镁基隧道磁阻元件及其量产技术”，他与负责商业化开发的佳能ANELVA株式会社代表取缔役会长兼社长市川淳二共同获奖。
Yuasa先生开发了一种使用氧化镁（MgO）作为隧道绝缘层的隧道磁阻元件（MTJ元件），实现了革命性的高性能，是传统技术的两倍以上。此外，我们与佳能ANELVA Inc合作开发了MgO-MTJ元件的量产技术，通过在非晶层上生长结晶层的独创方法，使MgO-MTJ元件的工业应用成为可能。使用MgO-MTJ元件的硬盘驱动器(HDD)磁头自2007年起已商业化，并且安装在目前生产的几乎所有HDD中，为世界领先的HDD提供了更高的容量。