第6届日本学术振兴会奖颁奖典礼于2010年3月1日星期一在日本学士院举行。纳米管应用研究中心超生长CNT团队电子研究部自旋电子组研究组组长 Kenji Hatake 和研究组组长 Shinji Yuasa 获奖。
日本学术振兴会奖由日本学术振兴会于2004年设立，旨在通过表彰进行杰出研究的年轻研究人员，从早期表彰他们以提高他们的研究动力，并支持原创性和开拓性研究，从而将日本的学术研究水平提升到世界顶级水平。
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Kenji Hatake，研究团队负责人
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◆ 旗木健二研究组组长
[奖励目标]“碳纳米管合成基础研究及其在应用开发中的应用」
[获奖原因]
碳纳米管是直径为07～70nm（纳米）、长度为数十微米（微米）的圆柱形碳晶体，有望作为半导体新材料。研究小组负责人Kenji Hatake试图彻底阐明直径数纳米的单壁碳纳米管的合成机理，并基于他的发现，他开发了一种高纯度、高效率的合成方法，称为超生长法，使用添加少量水的简单方法。此外，利用可以在硅等基材上以森林般的方向合成的事实，实现了各种图案、形状和结构。此外，利用这种新材料，他们通过在双电层电容器、执行器和平板显示器等设备中使用单壁碳纳米管，展示了革命性的性能改进。
通过这种方式，我们已经对许多高性能器件进行了原型设计和评估，旨在将它们在电子设备中实际应用，并显示出显着扩大碳纳米管应用范围的潜力。此外，我们还通过提供样品的方式推动与国内外研究机构的联合研究，为该领域基础和应用研究的发展做出了巨大的贡献。
基于研究团队负责人的成果，碳纳米管的工业化量产和商业化研究正在取得进展，预计未来将启动以日本首个纳米技术材料为中心的碳纳米管产业。
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汤浅真司研究组组长
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◆ 汤浅真司研究组组长
[奖励目标]“高性能磁隧道结器件的开发及实际应用」
[获奖原因]
研究组组长汤浅真司（Shinji Yuasa）通过使用厚度为1 nm（纳米）量级的结晶氧化镁（MgO）作为磁隧道结（MTJ）中的绝缘体（具有铁磁金属/绝缘体/铁磁金属的薄三层结构），显着提高了计算机硬盘的记录密度，并为下一代大容量非易失性存储器奠定了基础。 研究组组长开发了一种在薄铁膜上生长结晶氧化镁的技术，发现通过这种技术，MTJ的隧道磁阻比（TMR：表示两种铁磁材料同向和反向取向时MTJ电阻差异的指标）是传统技术的三倍以上。他们还发现，使用铁钴硼合金代替铁可以实现大规模生产，从而进一步提高 TMR。这些技术目前已应用于所有大容量硬盘中，作为硬盘的磁头。此外，MTJ具有非易失性的特性，意味着即使断电它的记忆也不会消失，因此有望作为未来的大容量存储器，而他的工作也导致了存储单元小型化的重大进展，这意味着容量的增加。
该研究组组长的成就可以概括为改进了MTJ的特性，但他的巨大进步极大地促进了称为自旋电子学的电子学新领域的发展。此外，研究组组长的研究正在从磁头扩展到大容量存储器，甚至微波传输元件的开发，未来有望进一步发展。