通知

通知文章2004/03/29

AIST 与丰田合成开展氮化镓联合研究
-旨在实现更高品质的晶体-

摘要

米乐m6官方网站(所长:吉川博之)(以下简称“产业技术研究所”)与丰田合成株式会社(所长:松浦刚)(以下简称“丰田合成”)决定开始有关高品质氮化镓晶体的技术转让联合研究。

 氮化镓(GaN)基化合物半导体作为蓝光LED的基本材料已投入实用,这在20世纪被认为是不可能实现的。目前,氮化镓基LED正被应用于手机、交通信号灯等领域,预计不仅会成为未来照明的光源,而且有望成为替代现有半导体的有前景的材料。因此,未来建立高质量的GaN基半导体晶体技术将变得越来越重要。

 产业技术研究院在半导体材料评价分析技术以及使用吉田贞文等两人开发的“氮化镓单晶薄膜制造方法(专利号1268400)”的氮化物半导体晶体生长方面拥有世界最杰出的研究成果之一。另一方面,丰田合成经过多年的研发,成功开发出高亮度蓝光LED,并不断向市场推出新产品。

 在这项联合研究中,我们的目标是通过转让AIST的先进研究成果和技术能力,并根据研究成果阐明GaN晶体生长机制,实现高质量的GaN基半导体晶体。

 产业技术研究所和丰田合成已经与立命馆大学、NEC等7家公司在高频器件研究开发项目(新功能器件研究开发协会)中展开合作,通过此次联合研究,进一步深化合作,力争实现高水平的产出。