研究亮点 设计并演示了超低功耗电压可写非易失性存储器“电压扭矩 MRAM”的原理

mile米乐m6(中国)官方网站v 2015年研究亮点 设计并论证了超低功耗电压可写非易失性存储器“电压扭矩MRAM”的原理

注意事项

AIST明确了降低“电压写入”实际使用所需的写入错误率的途径,“电压写入”有望成为磁隧道结器件的低功耗写入方法。

经过验证的电压扭矩MRAM原理图及特性


这次,我们演示了电压写入方法的稳定运行,并开发了一种降低写入错误率的方法。此外,通过使用可以重现实验结果的计算模拟,我们表明可以通过降低衰减强度、提高记录保留性能或在写入后发生错误时重新写入来实现较低的错误率。

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自旋电子学研究中心电压自旋电子学团队研究员 Yoichi Shiota

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电力演讲者:029-861-5433(研究中心代表)